高硬度（莫氏硬度9.2，僅次于金剛石和立方氮化硼），適合加工高硬材料（如碳化硅單晶、藍(lán)寶石等）。
化學(xué)穩(wěn)定性：耐酸堿、耐高溫，在拋光過程中不易與工件發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
鋒利棱角：顆粒形狀均勻，切削力強(qiáng)，可提高拋光效率。
高純度（≥99.9%）：避免金屬雜質(zhì)污染半導(dǎo)體基板。
2. 在半導(dǎo)體拋光中的應(yīng)用主要用途：
碳化硅（SiC）單晶襯底拋光：用于功率器件、射頻器件等寬禁帶半導(dǎo)體。
硅（Si）襯底拋光：輔助粗拋或中間工序。
其他材料：藍(lán)寶石（GaN外延襯底）、石英玻璃等。
拋光階段：通常用于粗拋或中拋，去除較大表面缺陷，后續(xù)需結(jié)合金剛石或膠體二氧化硅進(jìn)行精拋。
粒徑范圍：常用0.5-10μm（根據(jù)拋光階段選擇，粗拋用較大顆粒）。
粒度分布：需嚴(yán)格控制，窄分布可提高表面一致性。
雜質(zhì)含量：Fe、Al、Ca等金屬雜質(zhì)需低于ppm級(jí)。
顆粒形貌：多角形顆粒優(yōu)于球形，利于切削。
| 磨料類型 | 硬度 | 適用場景 | 成本 |
|---|---|---|---|
| 綠碳化硅（SiC） | 高 | 粗拋、硬質(zhì)材料（SiC、藍(lán)寶石） | 中等 |
| 金剛石 | 極高 | SiC精拋、超硬材料 | 高 |
| 氧化鋁（Al?O?） | 中高 | 硅片拋光、金屬表面 | 低 |
| 膠體二氧化硅 | 低 | 最終精拋、原子級(jí)平整 | 較高 |
懸浮液穩(wěn)定性：需配合分散劑（如PEG）防止顆粒團(tuán)聚。
拋光壓力/轉(zhuǎn)速：過高可能導(dǎo)致劃傷，需優(yōu)化參數(shù)。
后清洗：徹底去除殘留磨料，避免污染。
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